Центр «Нанотехнологии в электронике»

 


Центр «Нанотехнологии в электронике» открыт в ГОУ ВПО «Московский институт электронной техники (технический университет)» в 2005 году как подтверждение лидирующих позиций МИЭТ в области наноэлектроники. Центр тесно взаимодействует с Учебно-научным центром «Зондовая микроскопия и нанотехнология», созданным при участии компании "НТ-МДТ" в 1999 г. на базе лаборатории туннельной микроскопии и нанотехнологии.

Приоритетными научными направлениями исследований Центра являются: зондовая микроскопия, зондовая нанотехнология, поиск новых методов и материалов для создания элементов наноэлектроники.

Краткая историческая справка

Одними из первых в России был построен сканирующий туннельный микроскоп, предназначенный для проведения технологических экспериментов (а.с. № 1471232 от 14.07.87). В 1989 г. было показано наличие квантования проводимости при комнатной температуре в квазиодномерных вертикальных проводниках. В 1993 году построен туннельный технологический микроскоп ТТМ-2, позволяющий получать атомное разрешение структур. Созданы уникальные элементы наноэлектроники на основе полимерных, металлических и углеродных нанопроводов. В настоящее время Центр активно работает в области исследования свойств углеродных нанотрубок и элементов наноэлеткроники на их основе.

Центр сотрудничает с предприятиями и лабораториями при МИЭТ (завод «Протон», ГНЦ «Технологически центр», Лаборатория электронной микроскопии, кафедра общей химии и др.), что позволяет проводить комплексные и форсированные исследования по научным направлениям Центра.

Сайт Центра «Нанотехнологии в электронике»