Создан полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита.

 


Швейцарские инженеры из Федеральной политехнической школы Лозанны изготовили полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита.

Сейчас самым перспективным «двумерным» материалом электроники считается графен, обеспечивающий высокую подвижность носителей заряда. Учёные мгновенно оценили его потенциал, и новые варианты графеновых транзисторов, среди которых встречаются, к примеру, рекордно быстрые, появляются очень часто. Правда, у «чистого» графена есть один существенный недостаток: он не имеет запрещённой зоны. Способы её формирования известны, но дополнительные операции усложняют изготовление транзисторов.

Молибденит — довольно распространённый минерал, сульфид молибдена MoS2 — обычно используется как компонент смазок. Монослои MoS2 в экспериментах демонстрировали запрещённую зону шириной в 1,8 эВ, однако зарегистрированная подвижность носителей заряда (0,5–3,0 см2•В-1•с-1) оказалась слишком мала для применения в электронике.

В своём транзисторе авторы использовали в качестве диэлектрика затвора оксид гафния HfO2, который имеет высокое значение диэлектрической проницаемости. Опыты показали, что при комнатной температуре подвижность носителей поднимается как минимум до 200 см2•В-1•с-1, что сравнимо с показателями графеновых нанолент. Измеренное отношение токов в открытом и закрытом состоянии составило около 108.

Полная версия отчёта опубликована в журнале Nature Nanotechnology.

Подготовлено по материалам Федеральной политехнической школы Лозанны.

Источник: Компьюлента