Представлена новая технология изготовления элементов на базе арсенида галлия

 


Инженеры из США и Южной Кореи продемонстрировали методику создания структуры, составленной из перемежающихся слоёв арсенида алюминия и арсенида галлия, и переноса последних на подложки, выполненные из различных материалов.

Арсенид галлия GaAs заметно превосходит кремний по многим показателям, в частности по эффективности поглощения и преобразования энергии излучения, но распространение этого составного полупроводника ограничивает его высокая цена. При создании слоя высококачественного GaAs необходимо выдерживать строго определённые условия, причём значительная часть материала на полученных «толстых» полупроводниковых пластинах просто не используется.

Авторы расположили на одной пластине сразу несколько слоёв арсенида галлия, чередующихся со слоями AlAs. При обработке раствором кислоты арсенид алюминия частично удаляется, а слои GaAs по одному переносятся на требуемую подложку с помощью силиконовой «печати». «Это позволяет снизить стоимость и временные затраты на получение больших объёмов материала», — уверяет один из участников исследования Джон Роджерс (John Rogers) из Иллинойского университета в Урбане и Шампейне.

В целях демонстрации возможностей своей методики авторы уже изготовили опытные образцы арсенид-галлиевых фотогальванических элементов на пластиковой основе, полевых транзисторов на подложке из стекла и массивов фотодетекторов ближнего ИК-диапазона на кремнии. Продвижением технологии занимается компания Semprius, в совет директоров которой входит г-н Роджерс.

«Наиболее перспективным направлением нам кажется изготовление солнечных элементов: здесь составные полупроводники ранее не могли конкурировать с кремнием», — заключает Джон Роджерс.

Полная версия отчёта опубликована в журнале Nature.

Источник: Компьюлента