Создан самый маленький лазер с электрической накачкой

 


Сотрудники Швейцарской высшей технической школы Цюриха сконструировали самый маленький лазер с электрической накачкой.

Устройство выращено на подложке из арсенида галлия GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Длина полученного лазера составляет 30, а высота — 8 мкм. При этом он работает в терагерцевом диапазоне частот — на длине волны в 200 мкм.

По своим размерам обычные лазеры не могут уступать рабочей длине волны, что объясняется необходимостью установки оптического резонатора. В простейшем случае он представляет собой два зеркала, от которых отражается излучение; конструкция функционирует при том условии, что диаметр зеркал превышает длину волны излучения.

Авторы отказались от использования оптического резонатора, заменив его резонансным контуром, построенным на базе двух конденсаторов и катушки индуктивности. «Это означает, что размер лазера не зависит от длины волны излучения, — замечает один из участников исследования Кристоф Вальтер (Christoph Walther). — Теоретически вы можете сделать его сколь угодно малым».

Этот факт, по мнению ученых, должен привлечь производителей интегральных схем, поскольку новый лазер может стать вполне реальной оптической альтернативой транзистору. «Если наши микролазеры будут иметь сравнимые с транзисторами размеры, когда-нибудь они найдут применение в гибридных электрооптических схемах с высочайшей плотностью расположения элементов», — заключает г-н Вальтер.

Полная версия отчета опубликована в журнале Science.

Подготовлено по материалам Швейцарской высшей технической школы Цюриха.

Источник: Компьюлента