ntel и Numonyx объявили о прорыве в сфере памяти с изменяемым фазовым состоянием

 


Компании Intel и Numonyx сообщили о достижении значительных успехов в области разработки технологий производства памяти на базе фазовых переходов.

Память с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change Memory, PCM) рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространенной флеш-памяти. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулем и единицей.

Занимаясь совместными исследованиями, Intel и Numonyx смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая из таких ячеек включает два элемента, находящихся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность записи информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Технология Intel и Numonyx предполагает соединение ячеек памяти с КМОП-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, а сама память не теряет свойств даже после миллиона циклов перезаписи.

Новая методика, как ожидается, позволит создавать быстродействующие системы хранения данных и память со случайным доступом, которые будут обладать более высокой плотностью хранения информации, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами.

Подготовлено по материалам Intel.

Источник: Компьюлента