В Sharp создан солнечный элемент с рекордной эффективностью преобразования

 


Специалисты Sharp сумели увеличить эффективность преобразования энергии в фотогальваническом элементе до 35,8%.

По данным японской компании, это значение является рекордом в классе элементов, не использующих концентраторы солнечного излучения.

Новый фотоэлемент составлен из трех полупроводниковых слоев. Чаще всего нижний слой в подобных конструкциях делают германиевым, поскольку это упрощает производство. В то же время германий не позволяет добиться высокой эффективности; японские инженеры отказались от этого материала, заменив его арсенидом индия-галлия InGaAs.

Сформировав слой InGaAs с высокой степенью кристалличности (упорядоченности структуры), разработчики расположили поверх него слои арсенида галлия GaAs и фосфида индия-галлия InGaP. В результате эффективность преобразования энергии, которая в предыдущих моделях элементов Sharp составляла 31,5%, повысилась до 35,8%.

Подготовлено по материалам Sharp.

Источник: Компьюлента