Ученые ускорили работу памяти ОЗУ в 30 раз, в теории

 


Память MRAM представляет собой наномагниты, которые могут иметь разную полярность и, соответственно, нести разное значение бинарного кода (ноль или единицу).

Разработкой магниторезистивной памяти занимаются компании IBM и Toshiba. Немецким ученым удалось сократить время изменения состояния наномагнитов и повысить скорость работы до значения, ранее не достижимого. Запись информации в новой памяти происходит за 1 наносекунду - в 10 раз быстрее, чем в других прототипах. По словам разработчиков, скорость, которую они достигли, является пределом скорости работы памяти данного типа.


Источник: CNews.ru