Изобретение Калифорнийского университета в области EUV-литографии

 


Суть предложения заключается в использовании относительно недорогих лазеров на базе двуокиси углерода в 32-нм и более «тонких» техпроцессах. При этом время импульса должно увеличиться от 20 наносекунд, что характерно для современных EUV-лазеров, до более чем 100 наносекунд.

В настоящее время в качестве наиболее вероятных претендентов среди литографических технологий для производства по 22-нм и менее нормам рассматриваются EUV, двойные шаблоны, нанопечать, и электроннолучевая литография множественным пучком. Но, судя по текущему состоянию дел, производители по большей части полагаются именно на EUV-литографию. Компании ASML и Nikon независимо друг от друга планируют представить предварительные версии EUV-инструментов к концу 2009 г. В этом оборудовании будут использоваться лазер-плазменные (Laser Produced Plasma, LPP) источники излучения производства компании Cymer. Источники сообщают, что японская компания GigaPhoton также активно реализует программу по разработке и выпуску LPP-продукции.

Автор — Александр Харьковский

Источник: NanoNewsNet