Изготовлены транзисторы на основе фуллеренов

 


Новые приборы обладают более высокой величиной подвижности электронов, чем транзисторы на основе аморфного кремния, а также низким пороговым напряжением, высоким отношением уровней сигнала во включенном и выключенном состояниях и высокой стабильностью работы.

Транзисторы, разработанные проф. Бернардом Киппеленом (Bernard Kippelen) и его коллегами, изготавливаются при комнатной температуре. Величина подвижности электронов для них составляет 2,7-5 см2/В/с. Транзисторы на основе С60 очень чувствительны к кислороду, поэтому они могут работать только в атмосфере азота. Ученые надеются преодолеть это ограничение путем герметизации прибора и использования других видов фуллеренов.

Для изготовления транзисторов д-р Киппелен и его коллеги осаждали из газообразной фазы тонкие пленки С60 на поверхность кремниевой подложки, на которой уже имелись затворный электрод и затворный диэлектрик. Затем на поверхности углеродных пленок формировались электроды истока и стока.

Новые транзисторы могут использоваться для создания гибких электронных приборов, область применения которых очень велика: от дисплеев и активных электронных билбордов до RFID-меток, сообщает EurekAlert.


Источник: CNews.ru