Нанолегирование

 


Широкое использование полупроводников в различных устройствах основано на возможности изменять концентрацию носителей заряда (электронов или дырок) путем легирования – введения примесных атомов. Бурное развитие наноэлектроники ставит вопрос о разработке способов контроля физико-химических свойств полупроводниковых наноструктур. Казалось бы, осуществить это можно за счет все того же легирования. Однако наночастицы “сопротивляются” добавлению в них примесей: с одной стороны, имеют место процессы “самоочищения” нанокристаллов от примесей, а с другой – если примеси и удается внедрить, они сильно искажают кристаллическую структуру в своей окрестности, что приводит к деградации электрических и магнитных характеристик нанокристаллов.
Проблемы с нанолегированием обусловлены фундаментальным различием механизмов, регулирующих включение примесей в объемные материалы и в наночастицы…
Свежие материалы на тему наналегирования открывают последний выпуск интернет-журнала ПерсТ.

SPIN