Канавы памяти.

 


Сотрудничество University of Manchester (Англия) и Lund University (Швеция) привело к созданию оригинального устройства памяти. За основу берется плоская InGaAs/InP гетероструктура с квантовой ямой, в которой находится двумерный электронный газ. На поверхности структуры протравливаются изолирующие канавки, проходящие через область двумерного газа. Вид сверху представлен на снимке, полученном с помощью СТМ. Показано также подключение двух электродов, которые используются как для записи, так и для считывания информации. Два состояния такой структуры обусловлены накоплением и снятием заряда на поверхностных центрах на стенках канавки. Существенным является несимметричность канавок по отношению к направлению протекания тока. Пока удалось добиться времени запоминания несколько минут при комнатной температуре.
Авторы рассчитывают, что подобное устройство может быть изготовлено и на кремнии, поскольку его работа не связана с баллистическим переносом.

Об этой и других новостях нанотехники рассказывает свежий выпуск интернет-журнала ПерсТ.

SPIN