Продемонстрирован «беспереходный» транзистор

 


Ученые из Ирландского национального университета в Корке реализовали на основе кремниевых нанопроводов транзисторы, при изготовлении которых не требуется создавать полупроводниковые переходы.

С уменьшением размера транзисторов поддерживать качество переходов становится все сложнее; изготовителям приходится изобретать новые, более изощренные способы получения необходимых градиентов концентрации примесей, что отражается на стоимости устройств.

Между тем идея структуры, которая может контролировать величину тока без использования полупроводниковых переходов, была запатентована около восьмидесяти лет назад Юлием Эдгаром Лилиенфельдом. По существу, инженер предложил вариант резистора с затвором, на который подается управляющее напряжение.

Ирландские ученые развили эту идею, использовав кремниевый нанопровод и отделенный от него тонким изолирующим слоем кремниевый затвор. Нанопровод легируется акцепторной примесью, а материал затвора — донорной, вследствие чего под затвором образуется обедненная область. Условия для протекания тока по нанопроводу создаются лишь тогда, когда на затвор подается напряжение.

В исследовательских целях был также создан образец, у которого типы проводимости затвора и нанопровода изменены на противоположные.

По словам ученых, транзистор демонстрирует чрезвычайно низкий ток утечки и слабую зависимость подвижности носителей заряда от температуры. Освоить производство этих устройств, наверное, будет не очень сложно, и авторы уже ведут переговоры с представителями компаний — поставщиков полупроводниковой электроники.

Полная версия отчета будет опубликована в журнале Nature Nanotechnology.

Подготовлено по материалам Physicsworld.Com.

Источник: Компьюлента