Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках.

 
 Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках.
Данная монография является продолжением книги С.В.Булярского и В.И.Фистуля «Термодинамика и кинетика взаимодействия дефектов в полупроводниках». Авторы развивают конкретные алгоритмы вычислений ряда важных параметров технологических процессов, в том числе для наноразмерных образований, получение и легирование которых имеет свои особенности.
Разработана обобщенная термодинамическая модель, описывающая процессы растворимости, комплексообразования и кластеризации дефектов в полупроводниках. Проведено моделирование процессов комплексообразования в полупроводниках с различным легированием. Исследована задача о растворимости примеси в кристаллах конечных размеров, вплоть до квантовых точек. Развита термодинамическая модель образования кластеров и их влияния на растворимость примеси в кристаллах. Исследованы процессы послеплавления полупроводниковых кристаллов. Разработана кинетическая модель образования комплексов и алгоритмы ее применения для определения параметров комплексообразования на основании экспериментальных кривых изохронного отжига. Решена задача о диффузии комплекса как целого и ряд других приложений, в т.ч. по кластерам кислорода в кремнии и лития в германии.
Для ученых, преподавателей, аспирантов, студентов, работников промышленности, специализирующихся в области технологии полупроводниковых материалов и приборов.
Ключевые слова: дефектообразование, полупроводник, термодинамика, кинетика взаимодействия, дефект.